匣缽對晶體氧含量的影響
如果想要更好地使用匣缽,那么我(wo)們(men)就(jiu)應該做出一些相關(guan)的(de)(de)了解(jie),有(you)的(de)(de)時候(hou)我(wo)們(men)去做檢測的(de)(de)時候(hou),我(wo)們(men)應該要知道晶(jing)體氧含量(liang),那么它對(dui)晶(jing)體氧含量(liang)的(de)(de)影響是什么?
1、單晶中氧(yang)的主要來源
雖然匣缽的(de)(de)(de)熔(rong)(rong)點要高于(yu)硅(gui)(gui)料的(de)(de)(de)熔(rong)(rong)點,但(dan)是在高溫過(guo)程中(zhong)熔(rong)(rong)融的(de)(de)(de)液(ye)態硅(gui)(gui)會侵蝕坩(gan)堝(guo)(guo),從(cong)而(er)導致(zhi)少(shao)量的(de)(de)(de)氧(yang)進(jin)入(ru)晶(jing)體(ti)內部(bu)(bu)。在硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)熔(rong)(rong)點(1420℃)附近,溶硅(gui)(gui)與坩(gan)堝(guo)(guo)作(zuo)用,生(sheng)成SIO進(jin)入(ru)硅(gui)(gui)溶體(ti)。然后(hou)經過(guo)機械對流、熱(re)對流等(deng)方式使(shi)SIO傳輸到熔(rong)(rong)體(ti)表面(mian),因此到達硅(gui)(gui)熔(rong)(rong)體(ti)表面(mian)的(de)(de)(de)SIO以(yi)氣(qi)體(ti)形(xing)式揮發,而(er)剩(sheng)下的(de)(de)(de)一(yi)小部(bu)(bu)分SIO溶解在硅(gui)(gui)液(ye)中(zhong)以(yi)氧(yang)原子形(xing)態存在于(yu)液(ye)體(ti)硅(gui)(gui)中(zhong)之后(hou)進(jin)入(ru)晶(jing)體(ti)內從(cong)而(er)影響單晶(jing)的(de)(de)(de)氧(yang)含量。
2、坩堝阻止氧含量釋放的措施
氧主(zhu)要(yao)來源(yuan)于匣缽,因此如何(he)降低(di)(di)坩(gan)(gan)堝(guo)中(zhong)氧的(de)(de)釋(shi)放(fang)(fang)(fang)則是(shi)(shi)單晶(jing)降低(di)(di)氧含量的(de)(de)重要(yao)手段(duan),而(er)產品(pin)品(pin)質的(de)(de)好(hao)壞直接關系到放(fang)(fang)(fang)含量的(de)(de)釋(shi)放(fang)(fang)(fang)程度(du)。坩(gan)(gan)堝(guo)中(zhong)氧的(de)(de)釋(shi)放(fang)(fang)(fang)過程實(shi)際上就是(shi)(shi)坩(gan)(gan)堝(guo)氣泡層(ceng)(ceng)(ceng)穿透(tou)(tou)(tou)透(tou)(tou)(tou)明層(ceng)(ceng)(ceng)向硅液中(zhong)釋(shi)放(fang)(fang)(fang)氧的(de)(de)過程,而(er)在坩(gan)(gan)堝(guo)內層(ceng)(ceng)(ceng)燒結一層(ceng)(ceng)(ceng)3-5mm左右的(de)(de)透(tou)(tou)(tou)明層(ceng)(ceng)(ceng),從而(er)既保證了坩(gan)(gan)堝(guo)內表面(mian)的(de)(de)純(chun)度(du)又(you)不致于使坩(gan)(gan)堝(guo)軟化點過低(di)(di)。因此,坩(gan)(gan)堝(guo)透(tou)(tou)(tou)明層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)質量好(hao)壞決(jue)定了坩(gan)(gan)堝(guo)氣泡的(de)(de)釋(shi)放(fang)(fang)(fang)程度(du)。
以(yi)上就是匣缽對晶體氧含量影(ying)響的(de)一(yi)些(xie)相關(guan)介(jie)紹(shao),我(wo)們只要是知道晶體氧含量的(de)影(ying)響,那么我(wo)們可以(yi)按照以(yi)上這些(xie),來做一(yi)些(xie)工作。